Patrick Hofstetter wurde mit dem ETG-Literaturpreis 2021 ausgezeichnet

In seiner Veröffentlichung behandelt Dr.-Ing. Patrick Hofstetter das heute relevante Thema des parasitären Einschaltens von SiC-MOSFETs in einer Halbbrücke, wie sie z.B. in der Traktion üblich ist. SiC-MOSFETs werden seit einigen Jahren in zunehmendem Maße eingesetzt und verdrängen in vielen Applikationen die bisherigen Si-IGBTs und deren antiparallele Si-Dioden. Gründe liegen in der Möglichkeit, sehr schnell und verlustärmer zu schalten sowie in der Fähigkeit, rückwärts zu leiten und damit die antiparallele Diode unnötig werden zu lassen. Das unerwünschte parasitäre Einschalten des ausgeschalteten SiC-MOSFETs einer Halbbrücke führt jedoch zu erheblichen Herausforderungen. Viele Veröffentlichungen beschäftigten sich daher mit der Analyse des parasitären Einschaltens bzw. der Vermeidung dieses parasitären Einschaltens.

Dr.-Ing. Patrick Hofstetter geht einen ganz anderen, neuen Weg.

Er zeigt, dass das parasitäre Einschalten genutzt werden kann, um die Überspannung an der Freilaufdiode zu reduzieren. In der Folge können SiC-MOSFETs schneller geschaltet und die Verluste reduziert werden. Der herausragende, wissenschaftliche Beitrag der Arbeit liegt im Verfolgen eines unkonventionellen Ansatzes und der umfassenden systematischen Untersuchung der Schaltvorgänge sowie der auftretenden Verluste bei verschiedenen, applikationstypischen Parametern. Die Veröffentlichung leistet damit einen wertvollen Beitrag zur weiteren Nutzung von SiC-MOSFETs.